SPB80P06PG

SPB80P06P
PDF资料下载

SPB80P06P参数：MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：1,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：23毫欧@64A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@5.5mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：173nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5033pF@25V
功率-最大值：340W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：PG-TO263-3